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MIG20J806HA

产品描述TRANSISTOR IGBT, 2-108E6A, 24 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小348KB,共9页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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MIG20J806HA概述

TRANSISTOR IGBT, 2-108E6A, 24 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

MIG20J806HA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-P24
针数24
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压600 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-P24
元件数量1
端子数量24
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大功率耗散 (Abs)90 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置UPPER
VCEsat-Max2.7 V
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