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IDT7MP4104S20M

产品描述SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS
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文件大小155KB,共6页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MP4104S20M概述

SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS

IDT7MP4104S20M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间20 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N80
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量80
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM80
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.08 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率1.2 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IDT7MP4104S20M相似产品对比

IDT7MP4104S20M IDT7MP4104S25Z IDT7MP4104S25M IDT7MP4104S35M IDT7MP4104S20Z IDT7MP4104S35Z
描述 SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS SRAM Module, 1MX32, 25ns, CMOS SRAM Module, 1MX32, 25ns, CMOS SRAM Module, 1MX32, 35ns, CMOS SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS SRAM Module, 1MX32, 35ns, CMOS
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 20 ns 25 ns 25 ns 35 ns 20 ns 35 ns
其他特性 TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N80 R-XZMA-T80 R-XSMA-N80 R-XSMA-N80 R-XZMA-T80 R-XZMA-T80
内存密度 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 80 80 80 80 80 80
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX32 1MX32 1MX32 1MX32 1MX32 1MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM ZIP SIMM SIMM ZIP ZIP
封装等效代码 SSIM80 ZIP80(UNSPEC) SSIM80 SSIM80 ZIP80(UNSPEC) ZIP80(UNSPEC)
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 NOT SPECIFIED 225 225 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 1.2 mA 1.2 mA 1.2 mA 1.2 mA 1.2 mA 1.2 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE ZIG-ZAG SINGLE SINGLE ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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