Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | VFBGA, BGA63,10X12,32 |
针数 | 63 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 76 ns |
其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 1073741824 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1K |
端子数量 | 63 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -30 °C |
组织 | 64MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA63,10X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
页面大小 | 1K words |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.8 V |
编程电压 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1 mm |
部门规模 | 64K |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | YES |
类型 | SLC NAND TYPE |
宽度 | 10 mm |
KFM1G16Q2B-DEB80 | KFM1G16Q2B-DEB8T | KFM1G16Q2B-DEB6T | KFM1G16Q2B-DEB60 | |
---|---|---|---|---|
描述 | Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 | EEPROM Card, 64MX16, 76ns, Parallel, CMOS, PBGA63 | EEPROM Card, 64MX16, 76ns, Parallel, CMOS, PBGA63 | Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | VFBGA, BGA63,10X12,32 | FBGA, BGA63,10X12,32 | FBGA, BGA63,10X12,32 | FBGA, BGA63,10X12,32 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compli |
最长访问时间 | 76 ns | 76 ns | 76 ns | 76 ns |
命令用户界面 | YES | YES | YES | YES |
数据轮询 | NO | NO | NO | NO |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 | R-PBGA-B63 | R-PBGA-B63 | R-PBGA-B63 |
内存密度 | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bi |
内存集成电路类型 | FLASH | EEPROM CARD | EEPROM CARD | FLASH |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 | 3 |
部门数/规模 | 1K | 1K | 1K | 1K |
端子数量 | 63 | 63 | 63 | 63 |
字数 | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 | 64000000 | 64000000 | 64000000 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -30 °C | -30 °C | -30 °C | -30 °C |
组织 | 64MX16 | 64MX16 | 64MX16 | 64MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA | FBGA | FBGA | FBGA |
封装等效代码 | BGA63,10X12,32 | BGA63,10X12,32 | BGA63,10X12,32 | BGA63,10X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY |
页面大小 | 1K words | 1K words | 1K words | 1K words |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | 260 |
电源 | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
编程电压 | 1.8 V | 2.7 V | 2.7 V | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES | YES | YES | YES |
部门规模 | 64K | 64K | 64K | 64K |
最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A | 0.00005 A | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED | OTHER | OTHER | OTHER |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
切换位 | YES | YES | YES | YES |
类型 | SLC NAND TYPE | NAND TYPE | NAND TYPE | SLC NAND TYPE |
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