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KFM1G16Q2B-DEB80

产品描述Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
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文件大小3MB,共143页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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KFM1G16Q2B-DEB80概述

Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

KFM1G16Q2B-DEB80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA63,10X12,32
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间76 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
长度13 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1K
端子数量63
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
组织64MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA63,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小1K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1 mm
部门规模64K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL EXTENDED
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型SLC NAND TYPE
宽度10 mm

KFM1G16Q2B-DEB80相似产品对比

KFM1G16Q2B-DEB80 KFM1G16Q2B-DEB8T KFM1G16Q2B-DEB6T KFM1G16Q2B-DEB60
描述 Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 EEPROM Card, 64MX16, 76ns, Parallel, CMOS, PBGA63 EEPROM Card, 64MX16, 76ns, Parallel, CMOS, PBGA63 Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 VFBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli
最长访问时间 76 ns 76 ns 76 ns 76 ns
命令用户界面 YES YES YES YES
数据轮询 NO NO NO NO
JESD-30 代码 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bi
内存集成电路类型 FLASH EEPROM CARD EEPROM CARD FLASH
内存宽度 16 16 16 16
湿度敏感等级 3 3 3 3
部门数/规模 1K 1K 1K 1K
端子数量 63 63 63 63
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 64000000
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C
组织 64MX16 64MX16 64MX16 64MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA FBGA FBGA FBGA
封装等效代码 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY
页面大小 1K words 1K words 1K words 1K words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
编程电压 1.8 V 2.7 V 2.7 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES YES YES
部门规模 64K 64K 64K 64K
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL EXTENDED OTHER OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 YES YES YES YES
类型 SLC NAND TYPE NAND TYPE NAND TYPE SLC NAND TYPE

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