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2SJ356C-T1-AZ

产品描述POWER, FET
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SJ356C-T1-AZ概述

POWER, FET

2SJ356C-T1-AZ规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻0.556 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)6 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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