MB81C71A-35CV概述

Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CQCC22

MB81C71A-35CV规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCN, LCC22,.3X.5
针数	22
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XQCC-N22
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	22
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC22,.3X.5
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD

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MB81C71A-35CV相似产品对比

	MB81C71A-35CV	MB81C71A-25P	MB81C71A-25PJ	MB81C71A-35PJ	MB81C71A-30PJ	MB81C71A-35P
描述	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CQCC22	Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDIP22	Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDSO24	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, PDSO24	Standard SRAM, 64KX1, 30ns, CMOS, PQCC24	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, PDIP22
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	LCC	DIP	SOJ	SOJ	SOJ	DIP
包装说明	QCCN, LCC22,.3X.5	DIP, DIP22,.3	SOJ, SOJ24,.34	SOJ, SOJ24,.34	QCCN, LCC24,.3X.5	DIP, DIP22,.3
针数	22	22	24	24	24	22
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	35 ns	25 ns	25 ns	35 ns	30 ns	35 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XQCC-N22	R-PDIP-T22	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PQCC-N24	R-PDIP-T22
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1
端子数量	22	22	24	24	24	22
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCN	DIP	SOJ	SOJ	QCCN	DIP
封装等效代码	LCC22,.3X.5	DIP22,.3	SOJ24,.34	SOJ24,.34	LCC24,.3X.5	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL

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