MBM29LV002B-12PTN-X概述

Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40

MBM29LV002B-12PTN-X规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
包装说明	PLASTIC, TSOP1-40
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
其他特性	SECTOR ERASE; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G40
JESD-609代码	e0
长度	18.4 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1,3
端子数量	40
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP40,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	10 mm

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描述	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, SON-40	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, SON-40	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)
包装说明	PLASTIC, TSOP1-40	TSOP1-R,	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40	VSON,	PLASTIC, SON-40	TSOP1,
Reach Compliance Code	unknown	compliant	unknown	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns	120 ns	120 ns	120 ns	120 ns
其他特性	SECTOR ERASE; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT	SECTOR ERASE; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TOP BOOT	SECTOR ERASE; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT	SECTOR ERASE; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TOP BOOT	SECTOR ERASE; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT	SECTOR ERASE; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TOP BOOT
启动块	BOTTOM	TOP	BOTTOM	TOP	BOTTOM	TOP
JESD-30 代码	R-PDSO-G40	R-PDSO-G40	R-PDSO-G40	R-PDSO-N40	R-PDSO-N40	R-PDSO-G40
长度	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	10.75 mm	10.75 mm	18.4 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	40	40	40	40	40	40
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1-R	TSOP1-R	VSON	VSON	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	0.75 mm	0.75 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	NO LEAD	NO LEAD	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm

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