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MBM29F002SB-12PFTN

产品描述Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40
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文件大小494KB,共49页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MBM29F002SB-12PFTN概述

Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40

MBM29F002SB-12PFTN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明TSSOP, TSSOP40,.8,20
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间120 ns
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
部门数/规模1,2,1,3
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP40,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE

MBM29F002SB-12PFTN相似产品对比

MBM29F002SB-12PFTN MBM29F002SB-12PFTR MBM29F002SB-90PFTR MBM29F002ST-90PFTN MBM29F002B-90PFTR MBM29F002T-90PFTR
描述 Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40 Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40 Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40 Flash, 256KX8, 90ns, PDSO40 Flash, 256KX8, 90ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32 Flash, 256KX8, 90ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
包装说明 TSSOP, TSSOP40,.8,20 TSSOP, TSSOP40,.8,20 TSSOP, TSSOP40,.8,20 TSSOP, TSSOP40,.8,20 TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 PLASTIC, REVERSE, TSOP-32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow unknow
最长访问时间 120 ns 120 ns 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns
启动块 BOTTOM BOTTOM BOTTOM TOP BOTTOM TOP
命令用户界面 YES YES YES YES YES YES
数据轮询 YES YES YES YES YES YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bi 2097152 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8 8 8
部门数/规模 1,2,1,3 1,2,1,3 1,2,1,3 1,2,1,3 1,2,1,3 1,2,1,3
端子数量 40 40 40 40 32 32
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 -20 °C -20 °C -20 °C -20 °C -20 °C -20 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TSSOP TSSOP TSSOP TSOP1-R TSOP1-R
封装等效代码 TSSOP40,.8,20 TSSOP40,.8,20 TSSOP40,.8,20 TSSOP40,.8,20 TSSOP32,.8,20 TSSOP32,.8,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
部门规模 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
切换位 YES YES YES YES YES YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
反向引出线 - YES YES - YES YES
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