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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUP71R1
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BUP71R1

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6.48A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB，共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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BUP71R1概述

Power Field-Effect Transistor, 6.48A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,

BUP71R1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)6.48 A
最大漏源导通电阻1.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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