Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUP51.MOD

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BUP51.MOD: 产品描述80A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小190KB，共3页; 制造商SEMELAB

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BUP51.MOD概述

80A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

BUP51.MOD规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SEMELAB
零件包装代码	BFM
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	80 A
集电极-发射极最大电压	175 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
JEDEC-95代码	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

BUP51.MOD文档预览

SILICON MULTI-EPITAXIAL

NPN TRANSISTOR

BUP51

•

Low VCE(SAT), Fast switching.

Hermetic TO3 Metal package.

Ideally suited for Motor Control, Switching

and Linear Applications

Screening Options Available

•

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(TC = 25°C unless otherwise stated)

VCEX

VCEO

VEBO

ICM

Tstg

VBE = -1.5V

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Continuous Collector Current

Peak Collector Current

TC = 25°C

Total Power Dissipation at

Derate Above 25°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

250V

175V

10V

80A

100A

300W

1.72W/°C

-55 to +200°C

THERMAL PROPERTIES

Symbols

θJC

Parameters

Thermal Resistance, Junction To Case

Min.

Typ.

Max.

0.58

Units

°C/W

Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.

Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However

Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to

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Telephone +44 (0) 1455 556565

Fax +44 (0) 1455 552612

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Document Number 8312

Issue 1

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http://www.semelab-tt.com

SILICON MULTI-EPITAXIAL

NPN TRANSISTOR

BUP51

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(TC = 25°C unless otherwise stated)

Symbols

ICEX

IEBO

V(BR)CEO

(1)

Parameters

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation

Voltage

Test Conditions

VCE = 250V

VBE = -1.5V

TC = 150°C

VEB = 8V

IC = 10mA

IC = 20A

IB = 2A

IB = 4A

IB = 14A

IB = 2A

IB = 4A

IB = 14A

VCE = 4V

IC = 0

Min.

Typ

Max.

0.1

Units

175

0.5

0.6

1.0

1.1

1.2

1.5

VCE(sat)

(1)

IC = 40A

IC = 70A

IC = 20A

VBE(sat)

(1)

Base-Emitter Saturation

Voltage

IC = 40A

IC = 70A

IC = 20A

hFE

(1)

Forward-current transfer

ratio

IC = 40A

IC = 70A

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Storage Time

Fall Time

IC = 50A

IB1 = -IB2 = 10A

VCC = 200V

1.0

0.3

µs

Notes

(1) Pulse Width

≤

300us,

δ ≤

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Issue 1

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SILICON MULTI-EPITAXIAL

NPN TRANSISTOR

BUP51

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

3 9 .9 5 (1 .5 7 3 )

m a x .

3 0 .4 0 (1 .1 9 7 )

3 0 .1 5 (1 .1 8 7 )

1 7 .1 5 (0 .6 7 5 )

1 6 .6 4 (0 .6 5 5 )

2 0 .3 2 (0 .8 0 0 )

1 8 .8 0 (0 .7 4 0 )

d ia .

1 1 .1 8 (0 .4 4 0 )

1 0 .6 7 (0 .4 2 0 )

1 .7 8 (0 .0 7 0 )

1 .5 2 (0 .0 6 0 )

1 .5 7 (0 .0 6 2 )

1 .4 7 (0 .0 5 8 )

d ia .

2 p lc s .

TO3 (TO-204AE)

Pin 1 - Base

Pin 2 - Emitter

Case - Collector

Semelab Limited

Semelab

Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB

Telephone +44 (0) 1455 556565

Fax +44 (0) 1455 552612

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sales@semelab-tt.com

1 2 .0 7 (0 .4 7 5 )

1 1 .3 0 (0 .4 4 5 )

7 .8 7 (0 .3 1 0 )

6 .9 9 (0 .2 7 5 )

2 6 .6 7 (1 .0 5 0 )

m a x .

4 .0 9 (0 .1 6 1 )

3 .8 4 (0 .1 5 1 )

d ia .

2 p lc s .

Website:

http://www.semelab-tt.com

Document Number 8312

Issue 1

Page 3 of 3

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BUP51.MOD相似产品对比

	BUP51.MOD	BUP51R1
描述	80A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	80A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否无铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合
厂商名称	SEMELAB	SEMELAB
零件包装代码	BFM	BFM
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	80 A	80 A
集电极-发射极最大电压	175 V	175 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10	10
JEDEC-95代码	TO-204AE	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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