4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最大集电极电流 (IC) | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 8 |
| JEDEC-95代码 | TO-251 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 35 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| VCEsat-Max | 1.5 V |
| BULD128DA-1 | BULD128DB-1 | |
|---|---|---|
| 描述 | 4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 | 4A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 最大集电极电流 (IC) | 4 A | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V | 400 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 8 | 8 |
| JEDEC-95代码 | TO-251 | TO-251 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 35 W | 35 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 35 W | 35 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| VCEsat-Max | 1.5 V | 1.5 V |
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