Power Field-Effect Transistor,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| SP000807602 | BSC052N03LS | BSC052N03LSATMA1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS | MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8 |
| 包装说明 | , | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | not_compliant |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | - |
| 是否无铅 | - | 不含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
| 针数 | - | 8 | 8 |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | - | 12 mJ | 12 mJ |
| 外壳连接 | - | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | - | 30 V | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | - | 17 A | 17 A |
| 最大漏源导通电阻 | - | 0.0072 Ω | 0.0072 Ω |
| FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | - | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 5 | 5 |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 260 | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 228 A | 228 A |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 端子面层 | - | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | - | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 40 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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