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RJL6032DPP-M0-T2

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小74KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJL6032DPP-M0-T2概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RJL6032DPP-M0-T2规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220FL, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻3.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)30.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

RJL6032DPP-M0-T2相似产品对比

RJL6032DPP-M0-T2 RJL6032DPP-M0
描述 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

 
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