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TS27L2BIN

产品描述DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小203KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准  
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TS27L2BIN概述

DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

TS27L2BIN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.0003 µA
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压3500 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
功率NO
电源5/10 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率0.04 V/us
最大压摆率0.036 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)10 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽100 kHz
最小电压增益40000
宽带NO
宽度7.62 mm

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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TS27L2BIN相似产品对比

TS27L2BIN TS27L2BMD TS27L2AMD TS27L2MN
描述 DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 DUAL OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8 DUAL OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8 DUAL OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP SOIC SOIC DIP
包装说明 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0003 µA 0.0003 µA 0.0003 µA 0.0003 µA
标称共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES YES YES
最大输入失调电压 3500 µV 3500 µV 6500 µV 12000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e3 e4 e4 e3
低-偏置 YES YES YES YES
低-失调 NO NO NO NO
微功率 YES YES YES YES
功能数量 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP SOP DIP
封装等效代码 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
功率 NO NO NO NO
电源 5/10 V 5/10 V 5/10 V 5/10 V
可编程功率 NO NO NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 1.75 mm 1.75 mm 5.08 mm
标称压摆率 0.04 V/us 0.04 V/us 0.04 V/us 0.04 V/us
最大压摆率 0.036 mA 0.036 mA 0.036 mA 0.036 mA
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 10 V 10 V 10 V 10 V
表面贴装 NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Matte Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 100 kHz 100 kHz 100 kHz 100 kHz
最小电压增益 40000 40000 40000 40000
宽带 NO NO NO NO
宽度 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm 7.62 mm
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