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RJK1212DNS-00-J5

产品描述Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJK1212DNS-00-J5概述

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

RJK1212DNS-00-J5规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压120 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.34 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)10 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)9 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

RJK1212DNS-00-J5相似产品对比

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描述 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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