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CMPT5087ELEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小330KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMPT5087ELEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMPT5087ELEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

CMPT5087ELEADFREE文档预览

CMPT5087E PNP
CMPT5088E NPN
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5087E
and CMPT5088E, are Silicon transistors in an epoxy
molded surface mount package with enhanced
specifications designed for applications requiring high
gain and low noise.
MARKING CODES: CMPT5087E: C2QE
CMPT5088E: C1QE
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
50
50
5.0
100
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
VCB=20V
VEB=3.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=100µA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=100mA, IB=10mA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=5.0V, IC=0.1mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=500µA, f=20MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ f=10Hz to 15.7kHz
350
50
50
5.0
TYP
NPN PNP
MAX
50
50
UNITS
nA
nA
V
V
V
135
65
8.7
45
110
700
150
105
7.5
50
225
700
390
380
350
75
100
400
800
900
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
♦♦
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
mV
mV
mV
300
300
300
50
100
430
435
430
125
hFE
♦♦
fT
Cob
Cib
hfe
NF
MHz
4.0
15
1400
3.0
dB
pF
pF
Enhanced specification
♦♦
Additional Enhanced specification
R1 (1-February 2010)
CMPT5087E PNP
CMPT5088E NPN
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
SOT-23 CASE - MECHANICAL OUTLINE
LEAD CODE:
1) Base
2) Emitter
3) Collector
MARKING CODES:
CMPT5087E: C2QE
CMPT5088E: C1QE
R1 (1-February 2010)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

CMPT5087ELEADFREE相似产品对比

CMPT5087ELEADFREE CMPT5088ELEADFREE
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
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