Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | TO-3P |
包装说明 | TO-3P, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
最大集电极电流 (IC) | 6 A |
集电极-发射极最大电压 | 800 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 100 W |
最大功率耗散 (Abs) | 100 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 15 MHz |
最大关闭时间(toff) | 3300 ns |
最大开启时间(吨) | 500 ns |
VCEsat-Max | 2 V |
KSC5030-N | KSC5030-O | KSC5030-R | |
---|---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN |
零件包装代码 | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
包装说明 | TO-3P, 3 PIN | TO-3P, 3 PIN | TO-3P, 3 PIN |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
最大集电极电流 (IC) | 6 A | 6 A | 6 A |
集电极-发射极最大电压 | 800 V | 800 V | 800 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 | 20 | 15 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
功耗环境最大值 | 100 W | 100 W | 100 W |
最大功率耗散 (Abs) | 100 W | 100 W | 100 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 15 MHz | 15 MHz | 15 MHz |
最大关闭时间(toff) | 3300 ns | 3300 ns | 3300 ns |
最大开启时间(吨) | 500 ns | 500 ns | 500 ns |
VCEsat-Max | 2 V | 2 V | 2 V |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved