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CTN635

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小77KB,共4页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
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CTN635概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN

CTN635规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
零件包装代码TO-237
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-237AA
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
VCEsat-Max0.5 V
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