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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CTLT853-M833BK
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CTLT853-M833BK

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM833, 8 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小725KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CTLT853-M833BK概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM833, 8 PIN

CTLT853-M833BK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
针数8
制造商包装代码CASE TLM833
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-N8
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)190 MHz

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PRODUCT
announcement
Low VCE(SAT) Power Transistors
in a
Tiny Leadless Module
CTLT853-M833
6 Amp/200V
(NPN)
CTLT953-M833
5 Amp/140V
(PNP)
™
TLM833
features
•
High Voltage (200V NPN, 140V PNP)
•
High Current (IC = 6.0A NPN, 5.0A PNP)
•
High Thermal Efficiency
•
3 x 3mm TLM™ case
•
Low VCE(SAT) = 0.34V Max @ 5.0A NPN,
0.42V Max @ 4.0A PNP.
Sample Devices
available
upon request.
description
The Central Semiconductor CTLT853-M833 (NPN) and
CTLT953-M833 (PNP) are high performance, High Current
Transistors designed for applications where tiny size
and operational efficiency are prime requirements.
With a maximum power dissipation of 4.5W, and a
very small package footprint, these devices are 80%
smaller than a comparable SOT-223 device.
This leadless package design has a watts per unit
area at least twice that of equivalent
package devices.
80% han
ler t
mal -223
S
SOT
Size Comparison
selection guide
High Current Power Transistors
CENTRAL
PART #
BVCBO
(V)
MIN
BVCEO
(V)
MIN
100
100
BVEBO
(V)
MIN
6.0
6.0
ICBO @
(nA)
MAX
10
50
VCB
(V)
MIN
150
100
100
100
MAX
300
300
2.0
1.0
2.0
1.0
hFE
@ VCE
(V)
@ IC
(A)
VCE(SAT)
(V)
MAX
0.34
0.42
@ IC
(A)
Cob
(pF)
TYP
38
45
Bottom View
fT
(MHz)
TYP
190
150
NPN
PNP
CTLT853-M833
CTLT953-M833
200
140
5.0
4.0
145 Adams Avenue
•
Hauppauge
•
New York
•
11788
•
USA
•
Tel:(631) 435-1110
•
Fax:(631) 435-1824
www.centralsemi.com

CTLT853-M833BK相似产品对比

CTLT853-M833BK CTLT853-M833TR CTLT953-M833TR CTLT953-M833BK
描述 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM833, 8 PIN Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM833, 8 PIN Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM833, 8 PIN Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, CASE TLM833, 8 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
针数 8 8 8 8
制造商包装代码 CASE TLM833 CASE TLM833 CASE TLM833 CASE TLM833
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8
湿度敏感等级 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 190 MHz 190 MHz 150 MHz 150 MHz
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor

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