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CMKT2207LEADFREE: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小493KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMKT2207LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMKT2207LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.6 A
集电极-发射极最大电压	40 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	40
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN AND PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN (315)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz
最大关闭时间（toff）	285 ns
最大开启时间（吨）	35 ns

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CMKT2207

SURFACE MOUNT

COMPLEMENTARY SILICON

TRANSISTORS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT2207

consists of one 2222A NPN transistor and an

individually isolated complementary 2907A PNP

transistor, manufactured by the epitaxial planar

process and epoxy molded in an SOT-363 surface

mount package. This ULTRAmini™ device has

been designed for small signal general purpose and

switching applications.

MARKING CODE: K70

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

NPN (Q1)

6.0

PNP (Q2)

5.0

UNITS

°C

°C/W

SOT-363 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

600

350

-65 to +150

357

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:

(TA=25°C unless otherwise noted)

NPN (Q1)

PNP (Q2)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

MIN

MAX

ICBO

VCB=60V

ICBO

VCB=50V

ICBO

VCB=60V, TA=125°C

ICBO

VCB=50V, TA=125°C

IEBO

VEB=3.0V

ICEV

VCE=60V, VEB(OFF)=3.0V

ICEV

VCE=30V, VEB(OFF)=500mV

BVCBO

IC=10μA

BVCEO

IC=10mA

BVEBO

IE=10μA

6.0

5.0

VCE(SAT)

IC=150mA, IB=15mA

0.3

0.4

VCE(SAT)

IC=500mA, IB=50mA

1.0

1.6

VBE(SAT)

IC=150mA, IB=15mA

0.6

1.2

1.3

VBE(SAT)

IC=500mA, IB=50mA

2.0

2.6

hFE

VCE=10V, IC=0.1mA

hFE

VCE=10V, IC=1.0mA

100

hFE

VCE=10V, IC=10mA

100

hFE

VCE=10V, IC=150mA

100

300

100

300

hFE

VCE=1.0V, IC=150mA

hFE

VCE=10V, IC=500mA

VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz

300

VCE=20V, IC=50mA, f=100MHz

200

Cob

VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz

8.0

Cib

VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz

UNITS

MHz

R4 (13-January 2010)

CMKT2207LEADFREE相似产品对比

	CMKT2207LEADFREE	CMKT2207TR	CMKT2207TRLEADFREE	CMKT2207BK	CMKT2207BKLEADFREE
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	,	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	,
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.6 A	0.6 A	0.6 A	0.6 A	0.6 A
最小直流电流增益 (hFE)	40	40	100	40	100
极性/信道类型	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN/PNP	NPN AND PNP	NPN/PNP
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
标称过渡频率 (fT)	300 MHz	300 MHz	200 MHz	300 MHz	200 MHz
厂商名称	Central Semiconductor	-	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor
针数	3	3	-	3	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	-
集电极-发射极最大电压	40 V	40 V	-	40 V	-
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	-	R-PDSO-G6	-
JESD-609代码	e3	e0	-	e0	-
元件数量	2	2	-	2	-
端子数量	6	6	-	6	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	-
端子面层	MATTE TIN (315)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子形式	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	-
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	-
最大关闭时间（toff）	285 ns	285 ns	-	285 ns	-
最大开启时间（吨）	35 ns	35 ns	-	35 ns	-
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最大功率耗散 (Abs)	-	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W

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