PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Renesas |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | MP-45F |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | PRSS0003AK-A3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 25 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SA1741-AZ | 2SA1741-K | 2SA1741K(0)-AZ | 2SA1741-L | 2SA1741L(0)-AZ | 2SA1741-M | 2SA1741M(0)-AZ | 2SA1741(0)-AZ | 2SA1741(09)-S6-AZ | |
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描述 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING | 5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB(FP) | 5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB(FP) | 5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB(FP) | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING | Power Bipolar Transistor |
Reach Compliance Code | compli | unknow | compli | unknow | compli | unknow | compli | compli | compliant |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 不符合 | 符合 | 不符合 | 符合 | 符合 | - |
最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A | 5 A | 5 A | 5 A | 5 A | 5 A | 5 A | - |
配置 | SINGLE | SINGLE | Single | SINGLE | Single | SINGLE | Single | Single | - |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 | 200 | 200 | 150 | 150 | 100 | 100 | 100 | - |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP | PNP | PNP | PNP | PNP | - |
最大功率耗散 (Abs) | 25 W | 25 W | 25 W | 25 W | 25 W | 25 W | 25 W | 25 W | - |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO | - |
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