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SPB80N10LG

产品描述Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小111KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SPB80N10LG概述

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

SPB80N10LG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)700 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)80 A
最大漏源导通电阻0.024 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)320 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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