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SG2003J/883B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小262KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SG2003J/883B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,

SG2003J/883B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIP
包装说明IN-LINE, R-CDIP-T16
针数16
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
元件数量7
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.6 V

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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