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PJSDA05C-4

产品描述Protection Device TVS/ESD Arrays
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小101KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSDA05C-4概述

Protection Device TVS/ESD Arrays

功能特点

产品名称:Protection Device TVS/ESD Arrays


产品型号:PJSDA05C-4


产品参数:


Peak Power Dissipation 8x20μs PPPM :80W


Reverse Stand-off Voltage VRWM: Max=5V


Reverse Leakage IR@VRWM : Max=1μA


Max Clamping Voltage@8x20μs PPPM Vc@Ipp :12/15V


Peak Pulse Current 8x20μs PPPM Ipp : 1/4A


Off-State Capacitance, 1MHz Zero dc Bias Co :Max=17pF


Package:SOT23-6L



PJSDA05C-4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压8 V
最小击穿电压6.2 V
配置COMPLEX
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G6
最大非重复峰值反向功率耗散80 W
元件数量4
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

PJSDA05C-4文档预览

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PJSDA05C-4
TVS ARRAY QUAD FOR ESD PROTECTION
This Penta TVS Array has been designed to Protect Sensitive Equipment against ESD and to prevent Latch-Up
events in CMOS circuitry operating at 5Vdc and below. This TVS array offers an integrated solution to protect up
to 4 data lines where the board space is a premium.
FEATURES
80W power dissipation (8/20μs waveform)
Low leakage current,maximum of 1μA@5Vdc
Very low clamping voltage
IEC61000-4-2 ESD 15kV air, 8kV Contact Compliance
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
12 30
1
2
3
Fig.126
MAXIMUM RATINGS
Parameter
P e a k P uls e P o we r ( 8 /2 0
μ
s Wa ve f o rm)
P e a k P uls e C ur re nt ( 8 /2 0
μ
s Wa ve fo r m)
E S D Vo lt a g e (HB M )
O p e r a ti ng Te m p e ra t ure Ra ng e
S t o ra g e Te m p e ra t ur e Ra ng e
Symbol
P
PP
I
PP
Value
80
5.0
>25
-55 to + 150
-55 to + 150
MAX.
035 0.9
• Case: SOT23-6L molded plastic
• Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Weight: 0.0005 ounce, 0.0141 gram
5
6
• Marking : QCG
4
119
MECHANICAL DATA
Units
W
A
kV
o
V
ESD
T
J
T
S TG
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS T
J
=25
o
C
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage (8/20μs)
Clamping Voltage (8/20μs)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
J
C
J
I
BR
=1mA
V
R
=5V
I
PP
=1A
I
PP
=4A
0Vdc Bias f=1MHz Between I/O pins and pin 2
5Vdc Bias f=1MHz Between I/O pins and pin 2
Conditions
-
Min.
-
6.2
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
15
7
Max.
5.0
8.0
1
12
15
17
10
Units
V
V
μA
V
V
pF
pF
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