ABT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | TYP VOLP < 1V @ VCC = 5V, TA = 25 DEG C |
| 系列 | ABT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| 长度 | 24.195 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 位数 | 4 |
| 功能数量 | 2 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 最大电源电流（ICC） | 30 mA |
| 传播延迟（tpd） | 5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| SN54ABT244J | SN54ABT244W | SN54ABT244FK | |
|---|---|---|---|
| 描述 | ABT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 | ABT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20, CERAMIC, FP-24 | ABT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, CC-20 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | DFP | QFN |
| 包装说明 | DIP, | DFP, | QCCN, |
| 针数 | 20 | 24 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 系列 | ABT | ABT | ABT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 | R-GDFP-F20 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 24.195 mm | 13.09 mm | 8.89 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 位数 | 4 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DFP | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK | CHIP CARRIER |
| 最大电源电流（ICC） | 30 mA | 30 mA | 30 mA |
| 传播延迟（tpd） | 5 ns | 5 ns | 5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.54 mm | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | BICMOS | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD |
| 宽度 | 7.62 mm | 6.92 mm | 8.89 mm |
| 其他特性 | TYP VOLP < 1V @ VCC = 5V, TA = 25 DEG C | - | TYP VOLP < 1V @ VCC = 5V, TA = 25 DEG C |
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