电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

CMRDM3575

产品描述N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小410KB,共2页
制造商Central Semiconductor
下载文档 详细参数 全文预览

CMRDM3575概述

N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS

CMRDM3575规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT
包装说明SOT-963, 6 PIN
针数6
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.16 A
最大漏源导通电阻10 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
CMRDM3575
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM3575
consists of complementary N-Channel and P-Channel
Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for
high speed pulsed amplifier and driver applications.
These MOSFETs offer Low rDS(ON) and Low
Threshold Voltage.
MARKING CODE: CT
SOT-963 CASE
• Device is
Halogen Free
by design
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Devices
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Continuous Drain Current, tp < 5.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IGSSF, IGSSR VGS=5.0V, VDS=0
IDSS
IDSS
BVDSS
VGS(th)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
gFS
Crss
Ciss
Coss
ton
toff
VDS=5.0V, VGS=0
VDS=16V, VGS=0
VGS=0, ID=250μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=4.5V,
VGS=2.5V,
ID=100mA
ID=50mA
FEATURES:
• Power Dissipation: 125mW
• Low Package Profile: 0.5mm (MAX)
• Low rDS(ON)
• Low Threshold Voltage
• Logic Level Compatible
• Small SOT-963 Surface Mount Package
SYMBOL
VDS
VGS
ID
ID
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
N-CH (Q1)
P-CH (Q2)
UNITS
V
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
nA
nA
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
20
8.0
160
200
140
180
125
-65 to +150
1000
P-CH (Q2)
MIN TYP MAX
-
-
100
-
-
20
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
5.5
8.0
11
20
1.3
1.0
12
2.7
60
210
50
100
-
1.0
5.0
7.0
10
17
-
-
-
-
-
-
-
N-CH (Q1)
MIN TYP MAX
-
-
100
-
-
20
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
2.0
3.0
4.0
7.0
1.3
2.2
9.0
3.0
40
150
50
100
-
1.0
3.0
4.0
6.0
10
-
-
-
-
-
-
-
VGS=1.8V, ID=20mA
VGS=1.5V, ID=10mA
VGS=1.2V, ID=1.0mA
VDS=5.0V, ID=125mA
VDS=15V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=15V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=15V, VGS=0, f=1.0MHz
VDD=10V, VGS=4.5V,
VDD=10V, VGS=4.5V,
ID=200mA
ID=200mA
R1 (8-February 2010)

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1159  252  1477  693  2148  24  6  30  14  44 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved