28000mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TO-252AA |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 28 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 28 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.059 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SK3483-Z | 2SK3483(0)-Z-E2-AZ | 2SK3483-Z-E1-AZ | 2SK3483(0)-Z-E1-AY | 2SK3483-Z-AZ | 2SK3483-ZK-E1-AZ | 2SK3483(0)-Z-E1-AZ | 2SK3483-Z-E2-AZ | 2SK3483 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 28000mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,28A I(D),TO-252VAR | Nch Single Power MOSFET 100V 28A 52mohm | Nch Single Power MOSFET 100V 28A 52mohm | Nch Single Power MOSFET 100V 28A 52mohm | Nch Single Power MOSFET 100V 28A 52mohm | Nch Single Power MOSFET 100V 28A 52mohm | Nch Single Power MOSFET 100V 28A 52mohm | 28000mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli | compli | compli | compli | compli | compli | compli |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | - | - | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single | Single | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | Single | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 28 A | 28 A | 28 A | - | 28 A | - | 28 A | 28 A | 28 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 40 W | 40 W | 40 W | - | 40 W | - | 40 W | 40 W | 40 W |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | - | YES | - | YES | YES | NO |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Brand Name | - | - | Renesas | Renesas | Renesas | Renesas | Renesas | Renesas | - |
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