Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4KE47A

文档预览

P4KE47A: 产品描述保护瞬态电压抑制器; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小165KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P4KE47A在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P4KE47A	-	-	点击查看	点击购买

P4KE47A概述

保护瞬态电压抑制器

功能特点

产品名称：保护瞬态电压抑制器

产品型号：P4KE47A

产品参数：

Power Dissipation功耗：Ppp：400W

Reverse Stand-off Voltage反向电压：VRWM：40.2V

Breakdown Voltage击穿电压：VBR@IT：Min：44.7V，Max：49.4V

Test Current：IT：1mA

Reverse Leakage反向漏：IR@VRWM：UNI：1μA，

Max. Clamp Voltage 10/1000μs最大钳电压Vc@Ipp：64.8V

Peak Pulse Current 10/1000μs 脉冲电流峰值Ipp：5A

封装：DO-41

P4KE47A规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-41
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	49.4 V
最小击穿电压	44.7 V
击穿电压标称值	47 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	64.8 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	40.2 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P4KE47A文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P4KE SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Typical I

less than 1µA above 10V

0.205(5.2)

0.160(4.1)

0.034(0.86)

0.028(0.71)

6.8 to 440 Volts

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

R ating

Peak Power D i ssi pati on at T

=25

Symbol

P K

F S M

S T G

1.0(25.4)MIN.

0.107(2.7)

0.080(2.0)

Value

400

-65 to +175

Uni ts

Watts

C , Tp=1ms (Note 1)

Typi cal Thermal Resi stance Juncti on to Ai r Lead Lengths .375",(9.5mm) (Note 2)

Peak Forward Surge C urrent, 8.3ms Si ngle Half Si ne-Wave Superi mposed on

Rated Load(JEC ED Method) (Note 3)

Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range

C/W

Amps

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig.

2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in

(40mm

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

STAD-SEP.02.2008

PAGE . 1

推荐资源

一款声光双控节能开关电路图

CR1系列软启动器正反转运行电路

门控夜明灯电路

X63W型万能升降台铣床电气原理图电路（9）半自动循环电路

采用μA723构成的低功耗电压稳压器电路图

光电照明电路

2450的wavedev结构AC97和IIS音频驱动一处不同的疑惑: 在进行外部声音采样的时候，SetRate和Render2是用来将采样到的数据转换成应用程序指定的采样率而进行的线性插值运算(回放我想应该也是类似的)，不过我发现AC97和IIS有所区别 (1)前者的m_CurrT ......; younha 嵌入式系统

开关电源设计秘笈：如何选择正确的工作频率: 随着现在对更高效、更低成本电源解决方案需求的强调，我们创建了该专栏，就各种电源管理课题提出一些对您有帮助的小技巧。该专栏面向各级设计工程师。无论您是从事电源业务多年还是刚刚步入电源 ......; qwqwqw2088 模拟与混合信号

STM8专用编程器FlashRunner: FlashRunner在2009年初，已经成功实现了对STM8STM32全系列MCU的ISP烧录支持。STM88位内核有一个32位存储器接口和三段流水线架构，在24MHz频率下，最高处理效能高达20MIPS。栈指针和16位索 ......; shaoyongqiang stm32/stm8

matlab第三课-矩阵的块操作: 3.矩阵的块操作 n对矩阵进行元素更改、插入子块、 n提取子块、重排子块、扩大维数等操作这里重点说说冒号的用处！...; gaoxiao 微控制器 MCU

求一篇单片机的英文文章: 在下正在写毕业论文，需要一篇6000字的英文文章，是关于单片机的，最好是中英文对照的。如果文章字数不够，2～3篇凑在一起达到6000字也可以。请各位帮帮忙，在下不胜感激！本人邮箱：xupeng ......; norwegianwood 嵌入式系统

一个带AD输入和DA输出的PID的程序(问题？): 现在在写PID的程序，浮点运算时控制频率为3k，改为定点运算以后控制频率只提高到5k左右，现在对于数据格式的转换已经搞不明白了。彻底晕了。例如：我现在采用12位AD输入，但是运算的时候DSP肯 ......; martha410 微控制器 MCU

消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8月22日消息，韩媒Nate当地时间20日报道称，三星电子正在向其当下最先进的2nm级制程工艺中导入HyperCell技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在AI/HPC芯片代工市场的竞争力。单元(Cell)是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的6T库、7.5T库）。三星的...[详细]
台积电Q2利润飙升60%，美国芯片工厂盈利

根据最新财报数据，得益于其在先进工艺领域的领先地位，台积电（TSMC）2025年第二季度利润表现极为亮眼，税后纯利润高达3982.7亿新台币，同比激增60%以上，净利润率更是达到了惊人的42.7%。更令人瞩目的是，台积电在美国的芯片工厂运营状况超预期，税后纯利润达到42.3亿新台币。尽管这一数字相对于公司总利润而言微不足道，但其象征意义深远，标志着台积电在美国市场的初步成功。台积电计划在美国...[详细]
消息称三星在美“特斯拉专供”2nm 生产线 2026H2 投运，初期产能每月 1~1.5 万片晶圆

8月13日消息，韩媒thebell当地时间12日援引业界消息报道称，三星电子在美国得克萨斯州泰勒市建设的“特斯拉专供”2nm先进制程晶圆代工生产线将于2026年下半年正式投运，初期产量预计落在每月1~1.5万片12英寸晶圆水平。报道指出，三星电子预计于本季度末到今年四季度中旬发布该产线所需设备的采购订单，相关半导体设备厂商已开始为供应进行前期准备。包括光刻、蚀...[详细]
SK 海力士 2025 三季度营业利润达 11.38 万亿韩元同比增长 62%，创历史新高

10月29日消息，SK海力士今日发布截至2025年9月30日的2025财年第三季度财务报告。公司2025财年第三季度营业收入为24.4489万亿韩元（IT之家注：现汇率约合1209.49亿元人民币），同比增长39%，营业利润为11.3834万亿韩元（现汇率约合563.14亿元人民币），同比增长62%，净利润为12.5975万亿韩元（现汇率约合...[详细]
谷歌AI芯片获大单：Anthropic将使用100万个TPU训练大模型

北京时间10月24日，据路透社报道，AI创业公司Anthropic周四表示，其Claude大模型将使用多达100万个谷歌AI芯片进行训练，这些芯片价值数百亿美元。Anthropic希望借此在快速发展的AI领域提升其生成式AI产品的性能。作为Anthropic的投资者之一，谷歌还将为Anthropic提供额外的云计算服务。这项交易凸显了生成式AI在训练、部署以及持续推理过程中对算力的巨大需求。...[详细]
消息称铠侠计划 2026 年量产下代 BiCS10 332L NAND 闪存

12月11日消息，《日经亚洲》早些时候报道称，KIOXIA铠侠计划2026年启动下代BiCS103DNAND闪存的量产，支持大容量企业级固态硬盘的需求。铠侠的BiCS10采用332层堆叠技术，支持4.8Gbps的I/O接口速率，位密度相较现有的BiCS8提升59%。报道指出，BiCS8的量产晶圆厂将是岩手县北上市新落成的Fab2。▲本图左...[详细]
美政府批准对华出售 H200 芯片，英伟达回应

12月9日，据科技网站TechCrunch报道，英伟达的先进AI芯片终于可以重返中国市场了。对此，英伟达进行了官方回应。美国商务部将允许英伟达向中国的获批准客户出口H200芯片。同时，美国政府将从这些销售中抽取25%的分成。美国总统特朗普在其社交媒体上宣布了这一决定。英伟达发言人就此进展对TechCrunch表示：“我们赞赏特朗普总统的决定，该决定允许美国芯片行业参...[详细]
消息称闪迪寻求与力积电就 NAND 闪存制造展开合作

11月18日消息，台媒《经济日报》今日援引市场消息称，闪迪Sandisk在此轮存储涨价浪潮的背景下正积极寻求外包产能，寻求与力积电（即力晶积成电子制造股份有限公司、PSMC）进行合作。报道提到，这项拟议的合作关系将使用力积电位于苗栗县铜锣科学园区的新晶圆厂，由闪迪提供半导体设备，最快2026年上半年正式启动。闪迪此前就有考虑在铠侠KIOXIA日本晶圆厂外再寻新的NAND...[详细]
回顾ADI的六十年，模拟公司如何抓住人工智能时代的机会

日前，ADI中国区销售副总裁赵传禹（Thomas）与包括电子工程世界在内的多家媒体进行了产业交流，就ADI2025年的动向，以及2026年的展望进行了解读。2025年是ADI成立60周年，同时也是业绩迅速爬升的关键一年，在我们已然迈入AI数字时代之际，传统模拟公司的前景如何？如何抓住这波泼天的浪潮，从ADI的产业布局和打法中，我们或许可以得到一些灵感。2025财年，ADI实现了110.2...[详细]
格罗方德将收购Synopsys新思ARC业务，进一步丰富半导体IP产品组合

1月15日消息，GlobalFoundries格罗方德当地时间14日宣布已就收购Synopsys新思科技的ARC处理器IP解决方案业务与后者签署最终协议。一旦这笔交易最终完成，上述业务将并入格罗方德此前买下的半导体IP企业MIPS。Synopsys的ARC处理器IP解决方案业务包含经典ARCCPU、基于RISC-V的ARC-VCPU、ARC...[详细]
ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台

全新推出的PE2O8碳化硅外延机台是对行业领先的ASM单晶片碳化硅外延机台产品组合（包含适用于6英寸晶圆的PE1O6和适用于8英寸晶圆的PE1O8）的进一步增强。该机台采用独立双腔设计，兼容6英寸和8英寸晶圆，可实现增加产量的同时，降低成本。2024年10月16至18日，ASM先晶半导体亮相于深圳举办的首届湾芯展（SEMiBAY2024）。在国际化合物半导体产业发展论坛上，AS...[详细]
罗彻斯特电子携手MaxLinear，提供持续的全生命周期支持 SHDSL 系列产品的可持续供货渠道

罗彻斯特电子携手MaxLinear，提供持续的全生命周期支持SHDSL系列产品的可持续供货渠道美国马萨诸塞州纽伯里波特，2024年9月迈凌(MaxLinear)是高性能模拟和混合信号产品领域的引领者，为“互联”提供解决方案。此次，与罗彻斯特电子合作，为其SHDSL系列产品提供持续的生命周期管理和客户支持。罗彻斯特电子是可持续供应海量元器件现货的渠道，所销售的产品100...[详细]
Arm 通过新的 PyTorch 和 ExecuTorch 集成加速从云到边的人工智能，赋能开发者即刻实现性能提

Arm通过把Kleidi技术集成到PyTorch和ExecuTorch，将关键的AI性能优势从边侧拓展至云端，赋能新一代应用在ArmCPU上运行大语言模型。对普及ML工作负载的持续投入将使任一技术栈的开发者能够在最新的生成式AI模型上即刻获得显著的推理性能提升。通过扩大与云服务提供商以及主要的ML独立软件开发商合作，进一步赋能全球的AI开发者。...[详细]
摩尔斯微电子任命大石义和为副总裁兼日本区总经理

资深行业领导者将推动在日本的业务发展，并提升市场表现2024年11月29日，北京和美国加州尔湾——全球领先的Wi-FiHaLow解决方案提供商摩尔斯微电子荣幸地宣布，任命大石义和（YoshikazuOishi）为副总裁兼日本区总经理，此任命即日生效。大石义和拥有超过17年的全球半导体行业从业经验，及在销售和团队管理方面的强大背景，将带领团队推动公司业务增长，并提升摩尔斯微电...[详细]
拜登：美国准备就半导体立法

据路透社报道，美国总统拜登（JoeBiden）周三表示，由于该国一直在为从汽车到计算机的各种设备中使用的关键技术不断短缺而苦苦挣扎，美国参议院领导人正准备制定有关半导体的立法。“我们正在为此努力。（参议院多数党领袖）查克·舒默（ChuckSchumer）和（参议院共和党领袖米奇）麦康奈尔（McConnell）将按照这些方针提出一项议案。”拜登表示。舒默和麦康奈尔的办公室没有立即发...[详细]

小广播

热搜元器件