RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | NEC(日电) |
| 包装说明 | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.04 A |
| 基于收集器的最大容量 | 0.4 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 5 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最高频带 | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT) | 18000 MHz |
| NESG204619 | NESG204619-T1 | |
|---|---|---|
| 描述 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 厂商名称 | NEC(日电) | NEC(日电) |
| 包装说明 | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.04 A | 0.04 A |
| 基于收集器的最大容量 | 0.4 pF | 0.4 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 5 V | 5 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最高频带 | L BAND | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM | SILICON GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT) | 18000 MHz | 18000 MHz |
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