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MBR60150PT

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小48KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR60150PT概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:MBR60150PT


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:150V


最大平均整流电流Io:60A


最大前向浪涌电流I FSM:400A


正向压降VF:0.9V 当IF=30A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=150V


封装:TO-3P/TO-247AD


MBR60150PT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-247AD
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流60 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

MBR60150PT文档预览

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MBR6040PT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• Guardring for overvoltage protection
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.126(3.20)
0.110(2.80)
0.050(1.25)
0.045(1.15)
0.600(15.25)
0.580(14.75)
0.839(21.30)
0.819(20.80)
0.142(3.60)
0.125(3.20)
0.640(16.25)
0.620(15.75)
0.199(5.05)
0.175(4.45)
40 to 200 Volts
CURRENT
60 Amperes
0.095(2.40)
0.170(4.30)
0.145(3.70)
0.798(20.25)
0.777(19.75)
MECHANICAL DATA
• Case: TO-247AD / TO-3P molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.2245 ounces, 6.3673 grams.
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.030(0.75)
0.017(0.45)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA METE R
Maxi mum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maxi mum RMS Voltage
Maxi mum D C B locki ng Voltage
Maxi mum A verage F orward Current
Peak F orward Surge C urrent : 8.3ms si ngle
half si ne-wave superi mposed on rated load
(JE DE C method)
Maxi mum F orward Voltage at 30A per leg
Maxi mum D C Reverse Current at
Rated D C B locki ng Voltage
Typi cal Thermal Resi stance
Operati ng Juncti on and S torage Temperature
Range
T
J
=25
O
C
T
J
=100
O
C
S YMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
FS M
V
F
I
R
R
θJC
T
J
,T
S TG
-55 to + 150
MB R6040P T MB R6045P T MB R6050P T MB R6060P T MB R6080P T MB R6090P T MB R60100P T MB R60150P T MBR60200P T
UNITS
V
V
V
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
60
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
140
400
A
0.7
0.79
0.1
20
1.5
0.8
0.05
20
0.9
V
mA
O
C /W
O
-65 to +175
C
Note :
Both Bonding and Chip structure are available.
December 2,2011-REV.05
PAGE . 1
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