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BZX55C4V3

产品描述4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小70KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZX55C4V3概述

4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

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BZX55C2V4~BZX55C100
AXIAL LEAD ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 100 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix :” -35” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
O
Symbol
3.0
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
s
C
C
O
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
Units
K/mW
V
R
θ
JA
V
F
--
--
Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
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