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BY253

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小48KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BY253概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

BY253规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompli
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BY251 ~ BY255
MEDIUM CURRENT PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O
• Void-free Plastic in DO-201AD package.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low leakage .
.375(9.5)
.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
200 to 1300 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
DO-201AD
Unit: inch(mm)
• High current capability.
.052(1.3)
.048(1.2)
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, DO-201AD
• Polarity: Color Band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounce, 1.122 grams
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load, 60Hz.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current .375"(9.5mm)
lead length
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 3.0A
Maximum DC Reverse Current at T
J
=25
O
C
Rated DC Blocking Voltage T
J
=100
O
C
Typical Junction capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance(Note 2)
Operating Junction and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F (A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
J A
T
J
,T
S T G
BY251
200
140
200
BY252
400
280
400
1.0(25.4)MIN.
.210(5.3)
.188(4.8)
BY253
600
420
600
3.0
100
1.1
5.0
1000
40
15
-55 to +150
BY254
800
560
800
BY255
1300
910
1300
UNITS
V
V
V
A
A
V
µA
pF
O
C/W
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
2.Thermal resistance from junction to ambient.
3.Reverse Recovery Test Conditions:I
F
=0.5A , I
R
=1.0A ,Irr=0.25A
STAD-FEB.27.2009
1
PAGE . 1
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