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IRFF313

产品描述1.15A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小722KB,共2页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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IRFF313概述

1.15A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

IRFF313规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压350 V
最大漏极电流 (ID)1.15 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)4.5 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
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