1.15A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 350 V |
最大漏极电流 (ID) | 1.15 A |
最大漏源导通电阻 | 5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-205AF |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 4.5 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON |
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