4.6A, 20V, 0.046ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ULTRA THIN, BGA-9
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | ULTRA THIN, BGA-9 |
针数 | 9 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.6 A |
最大漏源导通电阻 | 0.046 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B9 |
JESD-609代码 | e2 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 9 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN SILVER |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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