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FDZ293P

产品描述4.6A, 20V, 0.046ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ULTRA THIN, BGA-9
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小924KB,共6页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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FDZ293P概述

4.6A, 20V, 0.046ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ULTRA THIN, BGA-9

FDZ293P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码BGA
包装说明ULTRA THIN, BGA-9
针数9
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)4.6 A
最大漏源导通电阻0.046 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PBGA-B9
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量9
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层TIN SILVER
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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