IDT72021L25J8概述

FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

IDT72021L25J8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFJ
包装说明	QCCJ,
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	RETRANSMIT
周期时间	35 ns
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e0
长度	13.97 mm
内存密度	9216 bit
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	32
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX9
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	11.43 mm

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IDT72021L25J8相似产品对比

	IDT72021L25J8	LP2128LT1G	IDT72041L35J8	52-PV0H240SS211_18	52-PV2F640SS	IDT72031L35J8	IDT72041L50J8
描述	FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET	FIFO, 4KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	HARDWARE INCLUDED: HEX NUT AND O-RING (NOT SHOWN)	ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]	FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
是否无铅	含铅	-	含铅	-	-	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	-	-	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	-	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFJ	-	QFJ	-	-	QFJ	QFJ
包装说明	QCCJ,	-	QCCJ,	-	-	QCCJ,	QCCJ,
针数	32	-	32	-	-	32	32
Reach Compliance Code	compliant	-	compliant	-	-	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	-	-	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	-	35 ns	-	-	35 ns	50 ns
其他特性	RETRANSMIT	-	RETRANSMIT	-	-	RETRANSMIT	RETRANSMIT
周期时间	35 ns	-	45 ns	-	-	45 ns	65 ns
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	-	R-PQCC-J32	-	-	R-PQCC-J32	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e0	-	e0	-	-	e0	e0
长度	13.97 mm	-	13.97 mm	-	-	13.97 mm	13.97 mm
内存密度	9216 bit	-	36864 bit	-	-	18432 bit	36864 bit
内存宽度	9	-	9	-	-	9	9
功能数量	1	-	1	-	-	1	1
端子数量	32	-	32	-	-	32	32
字数	1024 words	-	4096 words	-	-	2048 words	4096 words
字数代码	1000	-	4000	-	-	2000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	-	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	-	-	70 °C	70 °C
组织	1KX9	-	4KX9	-	-	2KX9	4KX9
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	-	YES	-	-	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	-	QCCJ	-	-	QCCJ	QCCJ
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	-	CHIP CARRIER	-	-	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	-	-	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	-	225	-	-	225	225
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm	-	3.55 mm	-	-	3.55 mm	3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	-	-	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	-	4.5 V	-	-	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V	-	-	5 V	5 V
表面贴装	YES	-	YES	-	-	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	-	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	-	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD	-	-	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	J BEND	-	J BEND	-	-	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	-	-	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	-	QUAD	-	-	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	30	-	-	20	30
宽度	11.43 mm	-	11.43 mm	-	-	11.43 mm	11.43 mm

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