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BD5100YT

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

BD5100YT概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:BD5100YT


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:100V


最大平均整流电流Io:5A


最大前向浪涌电流I FSM:100A


正向压降VF:0.8V 当IF=5A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=100V


封装:TO-251AB/DPAK


BD5100YT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-251AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-251AB
JESD-30 代码R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

BD5100YT文档预览

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BD540YT~BD5200YT
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
40 to 200 Volts
CURRENT
5 Amperes
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
TO-251AB
Unit : inch (mm)
.307(7.8)
.283(7.2)
.225(5.7)
.209(5.3)
.063(1.6)
.047(1.2)
.216(5.5)
.200(5.1)
MECHANCALDATA
• Case: TO-251AB molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.
.09 .09
(2.3) (2.3)
.032(0.8)
.012(0.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
.02(0.5)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
A ve ra g e Re c ti fi e d Outp ut C urre nt (S e e F i g ure 1 )
No n-Re p e ti ti ve P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms
s i ng le ha lf s i ne -wa ve s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d
F o rwa rd Vo lta g e a t 5 .0 A
P e a k Re ve rse C urre nt T
J
=2 5
O
C
a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e T
J
=1 0 0
O
C
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nc e (No te 2 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
C
T
J
,T
S TG
B D 5 4 0 YT
B D 5 4 5 YT B D 5 5 0 YT B D 5 6 0 YT B D 5 8 0 YT B D 5 9 0 YT B D 5 1 0 0 YT
B D 5 1 5 0 YT B D 5 2 0 0 YT
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
5 .0
100
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7 0
0 .7 4
0 .0 5
20
5 .0
0 .8 0
0.9
V
mA
O
C /
W
C
-5 5 to +1 5 0
-6 5 to +1 7 5
O
May 14.2010-REV.01
PAGE . 1
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