Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BAS16_09

文档预览

BAS16_09: 产品描述0.2 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小195KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

BAS16_09概述

0.2 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.2 A, 150 V, 硅, 信号二极管

BAS16_09规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
元件数量	1
加工封装描述	塑料 PACKAGE-3
状态	CONSULT MFR
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的
二极管元件材料	硅
最大功耗极限	0.3500 W
二极管类型	信号二极管
反向恢复时间最大	0.0500 us
最大重复峰值反向电压	150 V
最大平均正向电流	0.2000 A

BAS16_09文档预览

下载PDF文档

全文
预览

BAS16~BAS21

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

VOLTAGE

FEATURES

• Fast switching speed.

• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion

• Electrically Identical to Standard JEDEC

• High Conductance

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

100-250 Volts

POWER

250mWatts

MECHANICAL DATA

Case: SOT-23, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Approx. Weight: 0.008 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%.

PARAMETER

Marking Code

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

Rectified Current (Average), Half Wave Rectification

with Resistive Load and f >=50 Hz

Peak Forward Surge Current, tp=1.0

s single half

sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC method)

Power Dissipation Derate Above 25

Maximum Forward Voltage

Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking

Voltage T

= 25

Typical Junction Capacitance( Notes1)

Maximum Reverse Recovery (Notes2)

Typical Thermal Resistance

Storage Temperature Range

SYMBOL

B A S 16

B A S 19

100

120

200

2.5

350

B A S 20

A 80

150

200

2.5

350

1.0@100mA

B A S 21

A 82

200

250

200

2.5

350

UNITS

FSM

TOT

RΘJA

100

250

350

0.855@10mA

1.5

357

-55 TO +125

1.5

C/W

SINGLE

NOTE:

1. CJ at V

=0, f=1MHZ

2.From I

=10mA to I

=1mA, V

=6Volts, R

=100Ω

REV.0.1-FEB.4.2009

PAGE . 1

推荐资源

C程序问题: #include void main() { void input(int *); void max_min_value(int *); void output(int *); int number; input(number); max_min_value(number); output(number); ......; zjjone1023 51单片机

TE压力传感器：水下机器人从0到1000，如何避免量产踩坑: 转自TE官网：https://www.te.com.cn/chn-zh/industries/sensor-solutions/insights/underwater-robots.html 水下机器人从0到1000，如何避免量产踩坑。“从去年7月开始项目开发到现 ......; nmg 机器人开发

PIC系列单片机应用设计与实例 PDF: PIC系列单片机应用设计与实例这本书还是值得看看...; dengxiaoyang Microchip MCU

【RISC-V MCU CH32V103测评】+ 读取DH11: 上回用例程点了个灯了解了一下就一直吃灰了,这周末有了时间就继续耍,这次驱动个DHT11,依旧用上次的Toggle例程修改下接着用,新建DHT11文件夹,再新建一个DHT11.c和.h.->>参考新建工程 ......; eew_VHNtMb 国产芯片交流

[KW41Z]买了一把光剑拆壳用: 本帖最后由 littleshrimp 于 2017-5-9 09:11 编辑没想到光剑这东西这么贵在淘宝里搜了一下，便宜的十几块钱，基本都是塑料的儿童玩具质量好一点，能拆的基本都要五六百，一两千有这些 ......; littleshrimp NXP MCU

电容基础知识及应用: 如标题目. 内容非常基础. 自由下载,觉得好就顶一下.:lol 15328...; kejuyuan 分立器件

SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

8月25日消息，SK海力士公司宣布其321层2TbQLCNAND闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过300层的QLC技术应用，为NAND存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。为提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一种容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量N...[详细]
消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8月22日消息，韩媒Nate当地时间20日报道称，三星电子正在向其当下最先进的2nm级制程工艺中导入HyperCell技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在AI/HPC芯片代工市场的竞争力。单元(Cell)是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的6T库、7.5T库）。三星的...[详细]
Plessey Semiconductors 被中国资本收购

PlesseySemiconductors已被HayloLabs收购。HayloLabs成立于去年3月，由中国科技公司歌尔股份提供1亿美元五年期贷款。HayloLabs五个月前由成立两年的风险投资基金HayloVentures创立。HayloVentures表示：“我们认识到整合分散但前景广阔的MicroLED行业的必要性，因此成立了HayloL...[详细]
从生成式AI到代理式AI：半导体技术赋能下一波创新浪潮

AI领域始终在不断演进，我们正见证一场从“生成式AI”时代到“代理式AI”时代的深刻变革。这场变革有望重塑各行各业，并释放前所未有的发展机遇。与此同时，这也需要我们提供更具创新性的技术解决方案，从而精准满足这些新兴工作负载的独特需求。如今，代理式AI正驱动各行各业变革性应用的落地。机器人领域正经历巨变，从简单的自动化发展到仓库应用、制造业等领域的复杂自主代理。与此同时，智能边缘计算也将被...[详细]
Coherent越南投资 1.27 亿美元新建工厂

美国萨克森堡的材料、网络和激光技术公司CoherentCorp在越南同奈省仁泽工业园区新建的一座价值1.27亿美元的制造工厂正式落成。该工厂将生产精密工程材料和光子学组件，这些产品应用广泛，涵盖智能手机、电动汽车乃至先进医疗设备等多个领域。越南副总理阮志勇在开业典礼上表示：“越南正积极发展包括半导体在内的关键战略产业。今天的活动是落实《越美关系升级为全面战略伙伴关系联合声明》的具...[详细]
格芯宣布与一家中国本地晶圆厂达成最终协议，为客户大陆订单提供可靠供应

8月6日消息，格芯GlobalFoundries在当地时间昨日公布的2025年第二季度财报中宣布，作为其“在中国为中国”战略的一部分，其已与一家中国本地晶圆代工厂达成最终协议，为格芯在中国大陆的客户提供可靠的供应。格芯表示，在这一合作协议的框架下，客户将受益于其汽车级工艺技术和制造专长，从而满足中国国内的需求。而根据格芯高管在财报电话会议中的详细解释，与中国本地晶圆代工厂的合作...[详细]
奥芯明：AI驱动半导体产业迎来“异构集成”新纪元，先进封装成破局关键

在10月29日至30日于深圳举办的第四届SEMI大湾区产业峰会上ASMPT集团半导体事业部副总裁，奥芯明半导体设备技术有限公司首席商务官、先进封装研发中心负责人薛晗宸先生在开幕式上发表了题为《AI时代对半导体应用及先进封装发展的推动》的演讲，从产业趋势、技术突破、解决方案及本土化实践四大维度，深入剖析了AI如何重构半导体生态，并指出异构集成（HI）将成为后摩尔时代的核心驱动力，为大湾区乃...[详细]
ASML亮相第八届进博会，展示其全球AI洞察与面向主流芯片市场的全景光刻解决方案

（中国上海，2025年11月4日）——半导体行业的领先供应商ASML（阿斯麦）将于11月5日至10日参加第八届中国国际进口博览会（以下简称“进博会”）。在本届进博会上，ASML将以“积纳米之微，成大千世界”为主题，亮相技术装备展区4.1展馆集成电路专区A1-03展台。ASML在2025年进博会的展台在今年进博会上，ASML将通过短片形式分享其对AI（人工智能）时代下半导体行业所面...[详细]
NVIDIA重返中国市场无望黄仁勋揭秘原因

“最先进的芯片，我们不会允许除美国以外的任何人拥有”，特朗普近日接受采访时表示。这也意味着，只有美国客户才能获得NVIDIA提供的顶级Blackwell芯片。NVIDIACEO黄仁勋上周表示，由于中国方面对该公司的态度，NVIDIA没有寻求美国对中国市场的出口许可证。“他们已经非常明确地表示，他们现在不希望NVIDIA进入中国市场，”他在一次开发者活动中说道，并补充说，NVIDIA需要进...[详细]
SK 海力士 2025 三季度营业利润达 11.38 万亿韩元同比增长 62%，创历史新高

10月29日消息，SK海力士今日发布截至2025年9月30日的2025财年第三季度财务报告。公司2025财年第三季度营业收入为24.4489万亿韩元（IT之家注：现汇率约合1209.49亿元人民币），同比增长39%，营业利润为11.3834万亿韩元（现汇率约合563.14亿元人民币），同比增长62%，净利润为12.5975万亿韩元（现汇率约合...[详细]
瑞萨电子拟出售时序业务部门

据路透社报道，瑞萨电子（Renesas）正考虑出售其时序业务，交易价格接近20亿美元。摩根大通（JPMorgan）已受委托负责此次出售事宜。潜在买家包括德州仪器（TI）、英飞凌（Infineon）、精工爱普生（SeikoEpson）、日本电波工业（NihonDempaKogyo）、Rakon、微芯科技（Microchip）、Abracon、意法半导体（ST）、SiTime、Diod...[详细]
中国内存第一大厂：长鑫科技宣布要IPO上市

12月31日消息，我国内存第一大厂长鑫科技宣布要IPO上市了，拟发行不超过106.22259999亿股股票，融资金额为295亿元。官方给出的IPO招标书中显示，长鑫科技宣称是我国“规模最大、技术最先进、布局最全”的DRAM研发设计制造一体化企业。目前，公司完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代...[详细]
消息称 AMD 已以台积电 N3P 工艺流片下代 Radeon GPU，目标 2027 年中推出

12月26日消息，消息人士@Kepler_L2在参与X平台上有关AMD与三星潜在合作可能的讨论时表示，AMD的下一代RadeonGPU芯片已在台积电N3P工艺制程节点完成流片，预计在2027年中（IT之家注：应即当年的COMPUTEX台北国际电脑展上）发布。换句话说，下代RadeonGPU的公布时间将同现有RDNA4系列间隔约2.5年，...[详细]
意法半导体总裁兼首席财务官Lorenzo Grandi 将在巴克莱投资者会议上发表讲话

2025年12月5日–中国，意法半导体总裁兼首席财务官LorenzoGrandi将于2025年12月11日星期四中欧时间晚上7点25分（即北京时间12月12日凌晨2点25分），在旧金山举行的巴克莱第23届全球技术年会上发表演讲。...[详细]
硅芯科技发布2.5D/3D EDA⁺新范式，重构先进封装协同设计体系

11月20日至21日，ICCAD-Expo2025在成都中国西部国际博览城顺利举办。大会以“开放创新，成就未来”为主题，吸引2000余家集成电路企业与6300多名专业观众到场，汇聚产业链上下游力量，全面呈现国内芯片设计与先进封装领域的最新趋势。大会现场展会期间，硅芯科技创始人兼首席科学家赵毅博士受邀出席高峰论坛，并正式对外发布“2.5D/3DEDA⁺新范式，重构先进封装全流...[详细]

小广播

热搜元器件