TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Reach Compliance Code | compli |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
表面贴装 | YES |
Base Number Matches | 1 |
2SK1273-T1-AY | 2SK1273-AY | 2SK1273-T2 | |
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描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | compli | compli | unknow |
配置 | Single | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A | 2 A | 2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W | 2 W |
表面贴装 | YES | YES | YES |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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