TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-89
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 表面贴装 | YES |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SK2857-T1-AY | 2SK2857-AZ | 2SK2857 | 2SK2857-T1-AZ | 2SK2857(0)-T1-AY | 2SK2857(0)-T1-AZ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-89 | 2SK2857-AZ | POWER, FET | 2SK2857-T1-AZ | 2SK2857(0)-T1-AY | 2SK2857(0)-T1-AZ |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | unknow | unknow | compli | unknow |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 配置 | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single | Single | - | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A | 4 A | 4 A | 4 A | - | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W | 2 W | 2 W | - | - |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | - | - |
| Brand Name | - | Renesas | - | Renesas | Renesas | Renesas |
| 零件包装代码 | - | POMM | - | POMM | POMM | POMM |
| 针数 | - | 3 | - | 3 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | - | PLZZ0004CC-A3 | - | PLZZ0004CC-A3 | PLZZ0004CC-A3 | PLZZ0004CC-A3 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 260 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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