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IDT7280L30TPB

产品描述FIFO, 256X9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
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文件大小144KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7280L30TPB概述

FIFO, 256X9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

IDT7280L30TPB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间30 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度34.671 mm
内存密度2304 bit
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256X9
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度4.572 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.62 mm
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