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IDT8M612S45CB

产品描述SRAM Module, 32KX16, 45ns, CMOS, CDMA40
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文件大小218KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT8M612S45CB概述

SRAM Module, 32KX16, 45ns, CMOS, CDMA40

IDT8M612S45CB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间45 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDMA-T40
JESD-609代码e0
内存密度524288 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度16
功能数量1
端子数量40
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.04 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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