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DSB5712

产品描述Mixer Diode, Silicon, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共2页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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DSB5712概述

Mixer Diode, Silicon, DO-35

DSB5712规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压20 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.41 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.035 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流0.15 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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