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KSB834WY

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KSB834WY概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin, D2PAK-3

KSB834WY规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-263
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)9 MHz

 
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