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KSP14: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小76KB，共2页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KSP14概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

	KSP14	KSP13
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	30 V	30 V
配置	DARLINGTON	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	20000	10000
JEDEC-95代码	TO-92	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	125 MHz	125 MHz
VCEsat-Max	1.5 V	1.5 V

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ