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MQSMBJP6KE18TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 14.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小561KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MQSMBJP6KE18TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 14.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

MQSMBJP6KE18TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压19.8 V
最小击穿电压16.2 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)235
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.38 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压14.5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
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