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DMN3033LSN

产品描述6 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小144KB,共5页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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DMN3033LSN概述

6 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

6 A, 30 V, 0.03 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

DMN3033LSN规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压30 V
加工封装描述GREEN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量1
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流6 A
最大漏极导通电阻0.0300 ohm
最大漏电流脉冲24 A

DMN3033LSN相似产品对比

DMN3033LSN DMN3033LSN-7
描述 6 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 6 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量 3 3
最小击穿电压 30 V 30 V
加工封装描述 GREEN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN GREEN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
中国RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN
端子位置 DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量 1 1
晶体管元件材料 SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流 6 A 6 A
最大漏极导通电阻 0.0300 ohm 0.0300 ohm
最大漏电流脉冲 24 A 24 A
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