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NAND256R3A1DZA6E

产品描述Flash, 32MX8, 15000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
产品类别存储    存储   
文件大小150KB,共5页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND256R3A1DZA6E概述

Flash, 32MX8, 15000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

NAND256R3A1DZA6E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数63
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间15000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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