LH532600T,LH532600T pdf中文资料,LH532600T引脚图,LH532600T电路-Datasheet-电子工程世界

LH532600T: 产品描述MASK ROM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48; 产品类别存储存储; 文件大小163KB，共8页; 制造商SHARP; 官网地址http://sharp-world.com/products/device/

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LH532600T概述

MASK ROM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48

LH532600T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SHARP
包装说明	12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	100 ns
备用内存宽度	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0
长度	16.4 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP48,.71,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	12 mm

LH532600T相似产品对比

	LH532600T	LH532600TR	LH532600D	LH532600N
描述	MASK ROM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48	MASK ROM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48	MASK ROM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40	MASK ROM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-40
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SHARP	SHARP	SHARP	SHARP
包装说明	12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48	12 X 18 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40	0.525 INCH, PLASTIC, SOP-40
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDIP-T40	R-PDSO-G40
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	16.4 mm	16.4 mm	52 mm	26.3 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	48	48	40	40
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1-R	DIP	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	5.4 mm	3.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	12 mm	12 mm	15.24 mm	11.3 mm

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