8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28
| 参数名称 | 属性值 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 最小工作温度 | -40 Cel |
| 最大工作温度 | 85 Cel |
| 额定供电电压 | 5 V |
| 最小供电/工作电压 | 4.5 V |
| 最大供电/工作电压 | 5.5 V |
| 加工封装描述 | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
| 状态 | Transferred |
| sub_category | SRAMs |
| ccess_time_max | 35 ns |
| jesd_30_code | R-CDIP-T28 |
| jesd_609_code | e4 |
| 存储密度 | 65536 bi |
| 内存IC类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| moisture_sensitivity_level | NOT SPECIFIED |
| 端口数 | 1 |
| 位数 | 8192 words |
| 位数 | 8K |
| 操作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 8KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出使能 | YES |
| 包装材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| ckage_code | DIP |
| ckage_equivalence_code | DIP28,.3 |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | IN-LINE |
| 串行并行 | PARALLEL |
| eak_reflow_temperature__cel_ | NOT SPECIFIED |
| wer_supplies__v_ | 5 |
| qualification_status | COMMERCIAL |
| seated_height_max | 4.14 mm |
| standby_current_max | 7.50E-4 Am |
| 最大供电电压 | 0.0750 Am |
| 表面贴装 | NO |
| 工艺 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子涂层 | GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子间距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | NOT SPECIFIED |
| length | 35.56 mm |
| width | 7.62 mm |
| dditional_feature | STORE/RECAL TO EEPROM SOFTWARE |
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