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2SD2616E

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FN, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SD2616E概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FN, 3 PIN

2SD2616E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220FN
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8 MHz
Base Number Matches1

 
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