Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB1386T100

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2SB1386T100: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小154KB，共4页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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2SB1386T100概述

Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

2SB1386T100规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	5 A
集电极-发射极最大电压	20 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	82
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e2
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN COPPER
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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Transistors

Low Frequency Transistor

(*20V,*5A)

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436

FFeatures

1) Low V

CE(sat)

*0.35V

(Typ.)

/ I

*4A

*0.1A)

2) Excellent DC current gain charac-

teristics.

3) Complements the 2SD2098 /

2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.

FStructure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

FExternal

dimensions (Units: mm)

(96-141-B204)

211

2SB1386T100相似产品对比

	2SB1386T100	2SB1436R	2SB1436/R	2SB1326TV2
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126FP, 3 PIN	5A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	compli	unknow	unknow	compli
最大集电极电流 (IC)	5 A	5 A	5 A	5 A
集电极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	82	180	180	82
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	NO	NO
端子形式	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	10
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	ISOLATED	ISOLATED	-
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C
端子面层	TIN COPPER	-	NOT SPECIFIED	TIN SILVER COPPER
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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